Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5.3 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
180-7294
Producentens varenummer:
SI4559ADY-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.58Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3.4W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Længde

5mm

Højde

1.75mm

Bredde

4 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret 2-kanals MOSFET (både P- og N-kanaler) er et nyt produkt med en drænkildemodstand på 58 Mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har en drænkildespænding på 60 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 5,3 A og 3,9 A. Den har en maksimal nominel effekt på 3,4 W. Den er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet. Den kan anvendes i CCFL-invertere.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS-testet

Relaterede links