MPN

Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 19.8 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-varenummer:: 180-8014
Producentens varenummer:: SI4204DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 19.8 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 79,06

(ekskl. moms)

Kr. 98,825

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 14. oktober 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 45	Kr. 15,812	Kr. 79,06
50 - 120	Kr. 13,434	Kr. 67,17
125 - 245	Kr. 11,848	Kr. 59,24
250 - 495	Kr. 10,262	Kr. 51,31
500 +	Kr. 9,484	Kr. 47,42

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-8014
Producentens varenummer:: SI4204DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	19.8A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Emballagetype	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.006Ω
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	3.25W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	30nC
	Transistorkonfiguration	Dobbelt
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	3.05mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1mm
	Bredde	1.65 mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19.8A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Emballagetype SO-8
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.006Ω
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 3.25W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC
	Transistorkonfiguration Dobbelt
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 3.05mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1mm
	Bredde 1.65 mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret dobbelt N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 20 V. Den har også en drænkildemodstand på 4,6 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 19,8 A. MOSFET har en maksimal nominel effekt på 3,25 W. Den er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• DC/DC-omformer

• fast telekommunikation

• Notebook pc

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS-testet