Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 19.8 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-8014
- Producentens varenummer:
- SI4204DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 105,02
(ekskl. moms)
Kr. 131,275
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 21,004 | Kr. 105,02 |
| 50 - 120 | Kr. 17,832 | Kr. 89,16 |
| 125 - 245 | Kr. 15,738 | Kr. 78,69 |
| 250 - 495 | Kr. 13,644 | Kr. 68,22 |
| 500 + | Kr. 12,582 | Kr. 62,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8014
- Producentens varenummer:
- SI4204DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.006Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.25W | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.05mm | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.006Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.25W | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.05mm | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret dobbelt N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 20 V. Den har også en drænkildemodstand på 4,6 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 19,8 A. MOSFET har en maksimal nominel effekt på 3,25 W. Den er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• DC/DC-omformer
• fast telekommunikation
• Notebook pc
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 19.8 A 20 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 7.2 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 19.7 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 29 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 36 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 14.9 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 50 A 20 V Forbedring SO-8, TrenchFET