Vishay 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 19.8 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-8014
- Producentens varenummer:
- SI4204DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 105,02
(ekskl. moms)
Kr. 131,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 21,004 | Kr. 105,02 |
| 50 - 120 | Kr. 17,832 | Kr. 89,16 |
| 125 - 245 | Kr. 15,738 | Kr. 78,69 |
| 250 - 495 | Kr. 13,644 | Kr. 68,22 |
| 500 + | Kr. 12,582 | Kr. 62,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8014
- Producentens varenummer:
- SI4204DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.006Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.25W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Længde | 3.05mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.65mm | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.006Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.25W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Længde 3.05mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.65mm | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret dobbelt N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 20 V. Den har også en drænkildemodstand på 4,6 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 19,8 A. MOSFET har en maksimal nominel effekt på 3,25 W. Den er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• DC/DC-omformer
• fast telekommunikation
• Notebook pc
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 19.8 A 20 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 335 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 45.5 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 58 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET