Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 11.762,50

(ekskl. moms)

Kr. 14.702,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 4,705Kr. 11.762,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
180-7284
Producentens varenummer:
SI4154DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

36A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

32.5nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 3,3 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 7,8 W og kontinuerlig drænstrøm på 36 A. Minimum- og maksimumspændingen for denne MOSFET er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder


• POL

• synkron ensretter

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

Relaterede links