Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej
- RS-varenummer:
- 180-7284
- Producentens varenummer:
- SI4154DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 11.762,50
(ekskl. moms)
Kr. 14.702,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 4,705 | Kr. 11.762,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7284
- Producentens varenummer:
- SI4154DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32.5nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 3,3 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 7,8 W og kontinuerlig drænstrøm på 36 A. Minimum- og maksimumspændingen for denne MOSFET er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• POL
• synkron ensretter
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 36 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4154DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4840BDY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 20.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 20.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4124DY-T1-GE3
- Vishay 2 Type N MOSFET 8 Ben TrenchFET Nej
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET Nej
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
