MPN

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej SI4154DY-T1-GE3

RS-varenummer:: 180-7965
Producentens varenummer:: SI4154DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej SI4154DY-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 52,21

(ekskl. moms)

Kr. 65,26

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 3.410 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 - 90	Kr. 5,221	Kr. 52,21
100 - 240	Kr. 5,079	Kr. 50,79
250 - 490	Kr. 4,944	Kr. 49,44
500 - 990	Kr. 4,817	Kr. 48,17
1000 +	Kr. 4,705	Kr. 47,05

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7965
Producentens varenummer:: SI4154DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	36A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	TrenchFET
	Emballagetype	SOIC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	3.9mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	32.5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	5W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie TrenchFET
	Emballagetype SOIC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 3.9mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32.5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 5W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 3,3 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 7,8 W og kontinuerlig drænstrøm på 36 A. Minimum- og maksimumspændingen for denne MOSFET er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• POL

• synkron ensretter

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21