Vishay Type N-Kanal, TrenchFET Power MOSFET, 30 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4164DY

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 76,12

(ekskl. moms)

Kr. 95,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 7,612Kr. 76,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3198
Producentens varenummer:
SI4164DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

TrenchFET Power MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

Si4164DY

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0032Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

6W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.72V

Portkildespænding maks.

±20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

26.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.55mm

Bredde

4 mm

Standarder/godkendelser

JEDEC JS709A, RoHS

Længde

5mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links