Vishay Type P-Kanal, TrenchFET Power MOSFET, 4.7 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si9407BDY

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 141,46

(ekskl. moms)

Kr. 176,82

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 1.280 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 7,073Kr. 141,46
100 - 180Kr. 5,378Kr. 107,56
200 - 480Kr. 4,952Kr. 99,04
500 - 980Kr. 3,89Kr. 77,80
1000 +Kr. 3,68Kr. 73,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
818-1444
Producentens varenummer:
SI9407BDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

TrenchFET Power MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.7A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOIC

Serie

Si9407BDY

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.12Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8nC

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Længde

5mm

Højde

1.55mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.