Vishay Type P-Kanal, TrenchFET Power MOSFET, 4.7 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si9407BDY

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 137,86

(ekskl. moms)

Kr. 172,32

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 1.280 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 6,893Kr. 137,86
100 - 180Kr. 5,236Kr. 104,72
200 - 480Kr. 4,825Kr. 96,50
500 - 980Kr. 3,793Kr. 75,86
1000 +Kr. 3,587Kr. 71,74

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
818-1444
Producentens varenummer:
SI9407BDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

TrenchFET Power MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.7A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOIC

Serie

Si9407BDY

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.12Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Højde

1.55mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links