Vishay Type P-Kanal, TrenchFET Power MOSFET, 4.7 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si9407BDY
- RS-varenummer:
- 165-6283
- Producentens varenummer:
- SI9407BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 165-6283
- Producentens varenummer:
- SI9407BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | TrenchFET Power MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | Si9407BDY | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.12Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Højde | 1.55mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype TrenchFET Power MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie Si9407BDY | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.12Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Højde 1.55mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 4.7 A 60 V Forbedring SOIC, Si9407BDY
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 8 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET