Vishay Type P-Kanal, TrenchFET Power MOSFET, 4.7 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si9407BDY Nej

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
165-6283
Producentens varenummer:
SI9407BDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

TrenchFET Power MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.7A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

Si9407BDY

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.12Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8nC

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Længde

5mm

Højde

1.55mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links