Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 95,90

(ekskl. moms)

Kr. 119,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 4,795Kr. 95,90
200 - 480Kr. 4,069Kr. 81,38
500 - 980Kr. 3,834Kr. 76,68
1000 - 1980Kr. 3,598Kr. 71,96
2000 +Kr. 3,351Kr. 67,02

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9020
Producentens varenummer:
SI4532CDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

140mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.78W

Driftstemperatur maks.

+150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.5mm

Bredde

4mm

Længde

5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.