Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej SI4532CDY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 91,04

(ekskl. moms)

Kr. 113,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.280 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 4,552Kr. 91,04
200 - 480Kr. 3,867Kr. 77,34
500 - 980Kr. 3,639Kr. 72,78
1000 - 1980Kr. 3,419Kr. 68,38
2000 +Kr. 3,183Kr. 63,66

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9020
Producentens varenummer:
SI4532CDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P, Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

140mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2.78W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

150°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6nC

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Bredde

4 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links