Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 91,04

(ekskl. moms)

Kr. 113,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.280 enhed(er) afsendes fra 18. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 4,552Kr. 91,04
200 - 480Kr. 3,867Kr. 77,34
500 - 980Kr. 3,639Kr. 72,78
1000 - 1980Kr. 3,419Kr. 68,38
2000 +Kr. 3,183Kr. 63,66

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9020
Producentens varenummer:
SI4532CDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P, Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

140mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2.78W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

150°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6nC

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

-55°C

Højde

1.5mm

Bredde

4 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links