Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 7,2 A, 8 A 40 V, 8 ben, SOIC SI4564DY-T1-GE3

RS-varenummer:: 812-3230
Producentens varenummer:: SI4564DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 7,2 A, 8 A 40 V, 8 ben, SOIC SI4564DY-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Pris (Leveres i pakke af 10)**

Kr. 7,54

(ekskl. moms)

Kr. 9,42

(inkl. moms)

33640 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr pakke**
10 - 90	Kr. 7,54	Kr. 75,40
100 - 240	Kr. 7,078	Kr. 70,78
250 - 490	Kr. 6,784	Kr. 67,84
500 - 990	Kr. 6,029	Kr. 60,29
1000 +	Kr. 5,658	Kr. 56,58

**Vejledende pris

RS-varenummer:: 812-3230
Producentens varenummer:: SI4564DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Si4564DY, N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N, P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	7,2 A, 8 A
Drain source spænding maks.	40 V
Kapslingstype	SOIC
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	8
Drain source modstand maks.	20 mΩ, 28 mΩ
Kanalform	Enhancement
Mindste tærskelspænding for port	0.8V
Effektafsættelse maks.	3,1 W, 3,2 W
Transistorkonfiguration	Isoleret
Gate source spænding maks.	-20 V, -16 V, +16 V, +20 V
Antal elementer per chip	2
Bredde	4mm
Transistormateriale	Si
Gate-ladning ved Vgs typisk	20,5 nC ved 10 V, 41,5 nC ved 10 V
Længde	5mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	1.55mm

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 7,2 A, 8 A 40 V, 8 ben, SOIC SI4564DY-T1-GE3

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor

Relaterede links