Vishay 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 8 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 165-7276
- Producentens varenummer:
- SI4564DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 15.095,00
(ekskl. moms)
Kr. 18.870,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 32.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 6,038 | Kr. 15.095,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-7276
- Producentens varenummer:
- SI4564DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.2W | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20.5nC | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.55mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.2W | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20.5nC | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.55mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type N MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 8 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 4.7 A 60 V Forbedring SOIC, Si9407BDY
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET