Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 7,2 A, 8 A 40 V, 8 ben, SOIC SI4564DY-T1-GE3

RS-varenummer:: 165-7276
Producentens varenummer:: SI4564DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 7,2 A, 8 A 40 V, 8 ben, SOIC SI4564DY-T1-GE3

Pris Pr. stk. (på Rulle á 2500)**

Kr. 4,105

(ekskl. moms)

Kr. 5,131

(inkl. moms)

33640 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr rulle**
2500 +	Kr. 4,105	Kr. 10.262,50

**Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-7276
Producentens varenummer:: SI4564DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Si4564DY, N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N, P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	7,2 A, 8 A
Drain source spænding maks.	40 V
Kapslingstype	SOIC
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	8
Drain source modstand maks.	20 mΩ, 28 mΩ
Kanalform	Enhancement
Mindste tærskelspænding for port	0.8V
Effektafsættelse maks.	3,1 W, 3,2 W
Transistorkonfiguration	Isoleret
Gate source spænding maks.	-20 V, -16 V, +16 V, +20 V
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Antal elementer per chip	2
Gate-ladning ved Vgs typisk	20,5 nC ved 10 V, 41,5 nC ved 10 V
Transistormateriale	Si
Bredde	4mm
Længde	5mm
Højde	1.55mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 7,2 A, 8 A 40 V, 8 ben, SOIC SI4564DY-T1-GE3

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor

Relaterede links