Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 5.3 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 8.732,50

(ekskl. moms)

Kr. 10.915,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 2.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,493Kr. 8.732,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-0297
Producentens varenummer:
SI4559ADY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

72mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13nC

Effektafsættelse maks. Pd

3.4W

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.5mm

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links