Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
165-7226
Producentens varenummer:
SI4532CDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P, Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

140mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2.78W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6nC

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

+150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4mm

Højde

1.5mm

Længde

5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.