Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 4.555,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.695,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 1,822Kr. 4.555,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-7226
Producentens varenummer:
SI4532CDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P, Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

140mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.78W

Min. driftstemperatur

150°C

Portkildespænding maks.

20 V

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

-55°C

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links