Vishay N-Kanal, MOSFET, 10.9 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 7,21

(ekskl. moms)

Kr. 9,01

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 125 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 1,442Kr. 7,21

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3311
Producentens varenummer:
SI4128DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10.9A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.03Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Længde

5mm

Bredde

4mm

Højde

1.5mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.