Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 10.9 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej SI4128DY-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 710-3311
- Producentens varenummer:
- SI4128DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 28,65
(ekskl. moms)
Kr. 35,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 130 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 5,73 | Kr. 28,65 |
| 50 - 245 | Kr. 5,386 | Kr. 26,93 |
| 250 - 495 | Kr. 4,862 | Kr. 24,31 |
| 500 - 1245 | Kr. 4,592 | Kr. 22,96 |
| 1250 + | Kr. 4,294 | Kr. 21,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-3311
- Producentens varenummer:
- SI4128DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.03Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21 | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.03Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21 | ||
Højde 1.5mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 36 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4154DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4840BDY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 20.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4124DY-T1-GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 6.5 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4946BEY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 30 A 30 V Forbedring SOIC, Si4164DY Nej SI4164DY-T1-GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 5.3 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI9945BDY-T1-GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 7.5 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4214DDY-T1-GE3
