Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 7.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 6.332,50

(ekskl. moms)

Kr. 7.915,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 2,533Kr. 6.332,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-0281
Producentens varenummer:
SI4214DDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7.5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

19.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.5nC

Min. driftstemperatur

150°C

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Bredde

4 mm

Højde

1.5mm

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links