Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
919-4195
Producentens varenummer:
SI4946BEY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.5A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

52mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

3.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

17nC

Portkildespænding maks.

±20 V

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

5mm

Højde

1.55mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TW

Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links