Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 7.275,00

(ekskl. moms)

Kr. 9.100,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 2,91Kr. 7.275,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-2752
Producentens varenummer:
SI4840BDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.012Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

6W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

33nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)

Længde

5mm

Højde

1.55mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links