Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

RS-varenummer:: 180-7281
Producentens varenummer:: SI3421DV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.420,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.260,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 1,14	Kr. 3.420,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7281
Producentens varenummer:: SI3421DV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	8A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	TSOP
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	19.2mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	21nC
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	2.7W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.1mm
	Længde	3.1mm
	Bredde	2.98 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype TSOP
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 19.2mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 2.7W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.1mm
	Længde 3.1mm
	Bredde 2.98 mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 19,2 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 4,2 W og kontinuerlig drænstrøm på 8 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• adapterkontakt

• DC/DC-omformer

• til mobil databehandling/forbruger

• Belastningskontakter

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS-testet