Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET Nej SI3421DV-T1-GE3

RS-varenummer:: 180-7895
Producentens varenummer:: SI3421DV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET Nej SI3421DV-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 64,78

(ekskl. moms)

Kr. 80,98

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Udgår

Sidste 3.460 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 - 180	Kr. 3,239	Kr. 64,78
200 - 480	Kr. 2,431	Kr. 48,62
500 - 980	Kr. 2,106	Kr. 42,12
1000 - 1980	Kr. 1,938	Kr. 38,76
2000 +	Kr. 1,522	Kr. 30,44

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7895
Producentens varenummer:: SI3421DV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	8A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Emballagetype	TSOP
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	19.2mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	21nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	2.7W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.1mm
	Bredde	2.98 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	3.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Emballagetype TSOP
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 19.2mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 2.7W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.1mm
	Bredde 2.98 mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 3.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 19,2 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 4,2 W og kontinuerlig drænstrøm på 8 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• adapterkontakt

• DC/DC-omformer

• til mobil databehandling/forbruger

• Belastningskontakter

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS-testet