Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET Nej SI3493DDV-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 134-9713
- Producentens varenummer:
- SI3493DDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 28,50
(ekskl. moms)
Kr. 35,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.975 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 1,14 | Kr. 28,50 |
| 250 - 600 | Kr. 1,074 | Kr. 26,85 |
| 625 - 1225 | Kr. 0,97 | Kr. 24,25 |
| 1250 - 2475 | Kr. 0,91 | Kr. 22,75 |
| 2500 + | Kr. 0,856 | Kr. 21,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 134-9713
- Producentens varenummer:
- SI3493DDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 51mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.6W | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 3.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 51mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.6W | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Højde 1mm | ||
Længde 3.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 8 A 20 V TSOP-6, TrenchFET SI3493DDV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 8 A 12 V TSOP-6, TrenchFET SI3477DV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 8 A 30 V TSOP-6, TrenchFET SI3421DV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 5 6 ben TrenchFET Si3129DV-T1-GE3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 3 2 6 ben TrenchFET SI3585CDV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 A 20 V TSOP-6 SI3433CDV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 7 TSOP-6 SI3438DV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 TSOP-6 SI3483DDV-T1-GE3
