Vishay P-Kanal, MOSFET, 8 A 20 V, 6 ben, TSOP-6, TrenchFET SI3493DDV-T1-GE3

RS-varenummer:: 134-9713
Producentens varenummer:: SI3493DDV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay P-Kanal, MOSFET, 8 A 20 V, 6 ben, TSOP-6, TrenchFET SI3493DDV-T1-GE3

Pris (Leveres i pakke af 25)**

Kr. 0,667

(ekskl. moms)

Kr. 0,834

(inkl. moms)

2575 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr pakke**
25 +	Kr. 0,667	Kr. 16,675

**Vejledende pris

RS-varenummer:: 134-9713
Producentens varenummer:: SI3493DDV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Si3493DDV, P-Channel 20V MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	8 A
Drain source spænding maks.	20 V
Kapslingstype	TSOP-6
Serie	TrenchFET
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	6
Drain source modstand maks.	51 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	1V
Mindste tærskelspænding for port	0.4V
Effektafsættelse maks.	3,6 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-8 V, +8 V
Længde	3.1mm
Bredde	1.7mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	34,8 nC ved -8 V
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Antal elementer per chip	1
Gennemgangsspænding for diode	1.2V
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	1mm

Vishay P-Kanal, MOSFET, 8 A 20 V, 6 ben, TSOP-6, TrenchFET SI3493DDV-T1-GE3

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Relaterede links