Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET Nej SI3493DDV-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 28,50

(ekskl. moms)

Kr. 35,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.975 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 225Kr. 1,14Kr. 28,50
250 - 600Kr. 1,074Kr. 26,85
625 - 1225Kr. 0,97Kr. 24,25
1250 - 2475Kr. 0,91Kr. 22,75
2500 +Kr. 0,856Kr. 21,40

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
134-9713
Producentens varenummer:
SI3493DDV-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

TSOP

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

51mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

3.6W

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Portkildespænding maks.

8 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.1mm

Bredde

1.7 mm

Bilindustristandarder

Nej

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links