Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-89-6, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 787-9055
- Producentens varenummer:
- SI1029X-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 66,72
(ekskl. moms)
Kr. 83,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.560 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,336 | Kr. 66,72 |
| 200 - 480 | Kr. 3,138 | Kr. 62,76 |
| 500 - 980 | Kr. 2,843 | Kr. 56,86 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,674 | Kr. 53,48 |
| 2000 + | Kr. 2,506 | Kr. 50,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9055
- Producentens varenummer:
- SI1029X-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SC-89-6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 750nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 1.7mm | |
| Højde | 0.6mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SC-89-6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 750nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 1.7mm | ||
Højde 0.6mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 0.5 A 20 V Forbedring SC-89, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 12 A 12 V Forbedring SC-70, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 760 mA 30 V Forbedring SC-89, Si1077X
- Vishay 2 Type P MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 1.1 A 20 V Forbedring SC-88, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SC-70-6L, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 1.3 A 20 V Forbedring SC-88, TrenchFET
