Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-89-6, TrenchFET Nej SI1029X-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 66,72

(ekskl. moms)

Kr. 83,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 1.560 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 3,336Kr. 66,72
200 - 480Kr. 3,138Kr. 62,76
500 - 980Kr. 2,843Kr. 56,86
1000 - 1980Kr. 2,674Kr. 53,48
2000 +Kr. 2,506Kr. 50,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9055
Producentens varenummer:
SI1029X-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SC-89-6

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

8Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

750nC

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

250mW

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.7 mm

Længde

1.7mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links