Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, SC-89, Si1077X
- RS-varenummer:
- 812-3050
- Producentens varenummer:
- SI1077X-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 20 enheder)*
Kr. 102,70
(ekskl. moms)
Kr. 128,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.660 enhed(er) afsendes fra 19. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 5,135 | Kr. 102,70 |
| 200 - 980 | Kr. 4,827 | Kr. 96,54 |
| 1000 - 1980 | Kr. 4,359 | Kr. 87,18 |
| 2000 - 4980 | Kr. 4,098 | Kr. 81,96 |
| 5000 + | Kr. 3,856 | Kr. 77,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3050
- Producentens varenummer:
- SI1077X-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 760mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | Si1077X | |
| Emballagetype | SC-89 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 244mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.43nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 236mW | |
| Portkildespænding maks. | -12V, +12V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 600μm | |
| Længde | 1.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 760mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie Si1077X | ||
Emballagetype SC-89 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 244mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.43nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 236mW | ||
Portkildespænding maks. -12V, +12V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 600μm | ||
Længde 1.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 760 mA 30 V Forbedring SC-89, Si1077X
- onsemi Type P-Kanal 760 mA 20 V Forbedring SC-89
- Vishay 2 Type P MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 0.5 A 20 V Forbedring SC-89, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 4 A 20 V Forbedring SC-70, Si1441EDH
- Vishay Type P-Kanal 12 A 12 V Forbedring SC-70, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 12 A 20 V Forbedring SC-70, SiA461DJ
