Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-70, Si1441EDH
- RS-varenummer:
- 812-3079
- Producentens varenummer:
- SI1441EDH-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 20 enheder)*
Kr. 80,34
(ekskl. moms)
Kr. 100,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 4,017 | Kr. 80,34 |
| 200 - 480 | Kr. 3,048 | Kr. 60,96 |
| 500 - 980 | Kr. 2,813 | Kr. 56,26 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,42 | Kr. 48,40 |
| 2000 + | Kr. 2,091 | Kr. 41,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3079
- Producentens varenummer:
- SI1441EDH-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | Si1441EDH | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie Si1441EDH | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 4 A 20 V Forbedring SC-70, Si1441EDH
- Vishay P-kanal-Kanal -36 A -20 V Forbedring PowerPAK SC-70, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 30.3 A 30 V Forbedring SC-70, SiA471DJ
- Vishay Type P-Kanal 12 A 12 V Forbedring SC-70, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 12 A 20 V Forbedring SC-70, SiA461DJ
- Vishay Type P-Kanal 9 A 20 V SIA
- Vishay Type P-Kanal 12 A 30 V SiA4263DJ
- Vishay Type P-Kanal 2 A 20 V SC-70