Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-70, Si1441EDH Nej
- RS-varenummer:
- 159-6522
- Producentens varenummer:
- SI1441EDH-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 3.993,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.992,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,331 | Kr. 3.993,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 159-6522
- Producentens varenummer:
- SI1441EDH-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | Si1441EDH | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.8W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie Si1441EDH | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.8W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 4 A 20 V SOT-363 SI1441EDH-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 240 mA 60 V SOT-323 SI1330EDL-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 1 3 ben, SOT-323 Si1308EDL-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 SOT-23 SI2393DS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 3 ben, SOT-23 SI2323DDS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 3 ben, SOT-23 SI2319CDS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 A 12 V SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 3 ben, SOT-23 SI2365EDS-T1-GE3
