Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 30.3 A 30 V Forbedring, 6 Ben, SC-70, SiA471DJ
- RS-varenummer:
- 188-5019
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-38-845
- Producentens varenummer:
- SiA471DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 104,575
(ekskl. moms)
Kr. 130,725
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.650 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 4,183 | Kr. 104,58 |
| 250 - 600 | Kr. 3,97 | Kr. 99,25 |
| 625 - 1225 | Kr. 3,554 | Kr. 88,85 |
| 1250 - 2475 | Kr. 2,552 | Kr. 63,80 |
| 2500 + | Kr. 2,005 | Kr. 50,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5019
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-38-845
- Producentens varenummer:
- SiA471DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | SiA471DJ | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19.2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.15mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie SiA471DJ | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19.2W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.15mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV-kanalsstrømforsyning MOSFET
Termisk forbedret PowerPAK® SC-70 pakke
Meget lavt RDS(on) x område minimerer effekttab på begrænset printareal
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 30.3 A 30 V Forbedring SC-70, SiA471DJ
- Vishay Type P-Kanal 4 A 20 V Forbedring SC-70, Si1441EDH
- Vishay Type P-Kanal 12 A 12 V Forbedring SC-70, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 12 A 20 V Forbedring SC-70, SiA461DJ
- Vishay P-kanal-Kanal -36 A -20 V Forbedring PowerPAK SC-70, TrenchFET
- Vishay 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 9 A 20 V SIA
- Vishay Type P-Kanal 12 A 30 V SiA4263DJ