Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 12 A 12 V Forbedring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET Nej
- RS-varenummer:
- 165-6977
- Producentens varenummer:
- SIA447DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 3.273,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.092,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,091 | Kr. 3.273,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6977
- Producentens varenummer:
- SIA447DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 71mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 1.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 71mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Højde 0.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 1.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 12 A 12 V PowerPAK SC-70, TrenchFET SIA447DJ-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 4 8 ben TrenchFET SIA938DJT-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 12 A 30 V, PowerPAK SC-70 SIA4263DJ-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 PowerPAK SC-70 SIA533EDJ-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 12 A 20 V, PowerPAK SC-70 SIA445EDJ-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 12 A 20 V PowerPAK SC-70 SIA461DJ-T1-GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 12 A 60 V SC-70-6L, TrenchFET SiA106DJ-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 10 PowerPAK SC-70 SIA483ADJ-T1-GE3
