Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-70-6L, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 5.835,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.293,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,945Kr. 5.835,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-3667
Producentens varenummer:
SiA106DJ-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SC-70-6L

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.0185Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

19W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.9nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1mm

Længde

2.2mm

Bredde

1.35 mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss

Relaterede links