Vishay Siliconix Type P-Kanal, MOSFET, 2.68 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3886
- Producentens varenummer:
- SQA401EEJ-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 96,50
(ekskl. moms)
Kr. 120,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 3,86 | Kr. 96,50 |
| 100 - 475 | Kr. 2,851 | Kr. 71,28 |
| 500 - 975 | Kr. 2,313 | Kr. 57,83 |
| 1000 + | Kr. 1,87 | Kr. 46,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3886
- Producentens varenummer:
- SQA401EEJ-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.68A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13.6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.68A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13.6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.2mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET