Vishay Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er, -48.3 A -40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SIR4411DP Nej
- RS-varenummer:
- 653-194
- Producentens varenummer:
- SIR4411DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 5,83
(ekskl. moms)
Kr. 7,29
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.990 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 5,83 |
| 25 - 99 | Kr. 5,68 |
| 100 - 499 | Kr. 5,54 |
| 500 - 999 | Kr. 4,79 |
| 1000 + | Kr. 4,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-194
- Producentens varenummer:
- SIR4411DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -48.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Serie | SIR4411DP | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.011Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 56.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.25 mm | |
| Længde | 5.15mm | |
| Højde | 0.61mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -48.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Serie SIR4411DP | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.011Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 56.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.25 mm | ||
Længde 5.15mm | ||
Højde 0.61mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay TrenchFET Gen IV P-kanals effekt MOSFET er mærket til 40 V drain-kilde spænding. Den har lav RDS(on) og hurtig skifteydelse, hvilket gør den velegnet til højeffektiv strømstyring. Pakket i en kompakt PowerPAK SO-8 er den velegnet til DC/DC-konvertere, belastningsswitching og batterihåndtering i design med begrænset plads.
Pb-fri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal -48.3 A -40 V Forbedring PowerPAK, SIR4411DP Nej SIR4411DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRA18DDP Nej
- Vishay Type N-Kanal 96 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRA10DDP Nej
- Vishay Type N-Kanal 78 A 40 V Forbedring PowerPAK, SIR4406DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 5.9 A 100 V Forbedring PowerPAK, SIB4122DK Nej
- Vishay Type N-Kanal 62.8 A 40 V Forbedring PowerPAK, SIS4406DN Nej
- Vishay Type N-Kanal 78 A 40 V Forbedring PowerPAK, SIJ4406DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 64 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRA14DDP Nej
