ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263AB-3LSHYAD, RJ1N04BBHT
- RS-varenummer:
- 687-400
- Producentens varenummer:
- RJ1N04BBHTL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 57,45
(ekskl. moms)
Kr. 71,812
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 28,725 | Kr. 57,45 |
| 20 - 98 | Kr. 25,32 | Kr. 50,64 |
| 100 - 198 | Kr. 22,70 | Kr. 45,40 |
| 200 + | Kr. 17,875 | Kr. 35,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-400
- Producentens varenummer:
- RJ1N04BBHTL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TO-263AB-3LSHYAD | |
| Serie | RJ1N04BBHT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 10.36 mm | |
| Højde | 4.77mm | |
| Længde | 15.5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TO-263AB-3LSHYAD | ||
Serie RJ1N04BBHT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 10.36 mm | ||
Højde 4.77mm | ||
Længde 15.5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET er designet til at levere fremragende effektivitet i krævende anvendelser. Med en maksimal drain-source-spænding på 80 V og en kontinuerlig drain-strøm på 100 A er den skræddersyet til effektive skifteopgaver i en lang række kredsløb, hvilket gør den velegnet til motordrev og DC/DC-omformere. Dens lave modstand ved tænding på 5,3 mΩ sikrer, at energitab minimeres, hvilket resulterer i bedre termisk styring og pålidelig drift under forhold med høj effekt. Denne enhed, der overholder RoHS-standarderne, opfylder ikke kun miljøkrav, men sikrer også høj pålidelighed og sikkerhed for slutbrugerne i forskellig elektronik.
Lav modstand ved tænding for effektiv strømstyring og reduceret termisk belastning
Kan håndtere kontinuerlige afløbsstrømme på ±100 A, ideel til højtydende design
Omfattende robusthedstest, herunder 100 % Rg og UIS-test
Blyfri belægning sikrer overholdelse af internationale miljøstandarder
Halogenfri konstruktion bidrager til miljømæssig bæredygtighed
Robuste emballeringsspecifikationer, herunder præget tape for pålidelig transport og opbevaring
Driftstemperaturområde fra -55 til +150 °C giver driftsflexibilitet i forskellige miljøer
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RJ1
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HT8MD5HT
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RX3N07BBH
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RX3N10BBH
- ROHM 3 Ben, TO-263AB Enkelt
- ROHM Type N-Kanal 105 A 80 V Forbedring TO-252, RD3N
- ROHM Type P Enkelt MOSFET'er 80 V Forbedring SOP-8, SH8MD5HT
- ROHM Type N-Kanal 160 A 80 V Forbedring DFN5060-8S, RS7N160