ROHM 1 Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- RS-varenummer:
- 264-883
- Producentens varenummer:
- RJ1P04BBHTL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 75,10
(ekskl. moms)
Kr. 93,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,02 | Kr. 75,10 |
| 50 - 95 | Kr. 14,256 | Kr. 71,28 |
| 100 - 495 | Kr. 13,21 | Kr. 66,05 |
| 500 - 995 | Kr. 12,178 | Kr. 60,89 |
| 1000 + | Kr. 11,698 | Kr. 58,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-883
- Producentens varenummer:
- RJ1P04BBHTL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263AB | |
| Serie | RJ1 | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38.0nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263AB | ||
Serie RJ1 | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38.0nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
ROHM Nch 100V 80A TO-263AB power MOSFET med lav on-modstand og høj effekt, lille støbeformspakke, velegnet til at skifte.
Lav modstand ved tændt
Lille støbeformspakke med høj effekt (TO263AB)
Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel
100% UIS-testet
Relaterede links
- ROHM 1 Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-263AB, RJ1
- ROHM 1 Type N-Kanal 105 A 150 V Forbedring TO-263AB, RJ1
- ROHM 1 Type N-Kanal 170 A 100 V Forbedring TO-263AB, RJ1
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RJ1
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RJ1N04BBHT
- ROHM N-kanal-Kanal 240 A 60 V TO-263AB-3LSHYAD
- ROHM N-kanal-Kanal 280 A 40 V TO-263AB-3LSHYAD
- ROHM Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-220, RX3P07BBH