ROHM 1 Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1 RJ1P04BBHTL1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 5 enheder)*

Kr. 75,10

(ekskl. moms)

Kr. 93,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 100 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
5 - 45Kr. 15,02Kr. 75,10
50 - 95Kr. 14,256Kr. 71,28
100 - 495Kr. 13,21Kr. 66,05
500 - 995Kr. 12,178Kr. 60,89
1000 +Kr. 11,698Kr. 58,49

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-883
Producentens varenummer:
RJ1P04BBHTL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

RJ1

Emballagetype

TO-263AB

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

89W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

38.0nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Antal elementer per chip

1

ROHM Nch 100V 80A TO-263AB power MOSFET med lav on-modstand og høj effekt, lille støbeformspakke, velegnet til at skifte.

Lav modstand ved tændt

Lille støbeformspakke med høj effekt (TO263AB)

Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel

100% UIS-testet

Relaterede links