ROHM 1 Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 2 enheder)*

Kr. 43,23

(ekskl. moms)

Kr. 54,038

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 100 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
2 - 18Kr. 21,615Kr. 43,23
20 - 198Kr. 19,485Kr. 38,97
200 - 998Kr. 17,99Kr. 35,98
1000 - 1998Kr. 16,68Kr. 33,36
2000 +Kr. 13,54Kr. 27,08

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-884
Producentens varenummer:
RJ1P07CBHTL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263AB

Serie

RJ1

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

135W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73.0nC

Portkildespænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Antal elementer per chip

1

ROHM Nch 100V 120A TO-263AB power MOSFET med lav on-modstand og høj effekt, lille støbeformspakke, velegnet til at skifte.

Lav modstand ved tændt

Lille støbeformspakke med høj effekt (TO263AB)

Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel

100% UIS-testet

Relaterede links