ROHM 1 Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1 RJ1P07CBHTL1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 2 enheder)*

Kr. 43,23

(ekskl. moms)

Kr. 54,038

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
2 - 18Kr. 21,615Kr. 43,23
20 - 198Kr. 19,485Kr. 38,97
200 - 998Kr. 17,99Kr. 35,98
1000 - 1998Kr. 16,68Kr. 33,36
2000 +Kr. 13,54Kr. 27,08

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-884
Producentens varenummer:
RJ1P07CBHTL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263AB

Serie

RJ1

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

135W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73.0nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Antal elementer per chip

1

ROHM Nch 100V 120A TO-263AB power MOSFET med lav on-modstand og høj effekt, lille støbeformspakke, velegnet til at skifte.

Lav modstand ved tændt

Lille støbeformspakke med høj effekt (TO263AB)

Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel

100% UIS-testet

Relaterede links