ROHM 1 Type N-Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1 RJ1R10BBHTL1
- RS-varenummer:
- 264-880
- Producentens varenummer:
- RJ1R10BBHTL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 51,09
(ekskl. moms)
Kr. 63,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 51,09 |
| 10 - 99 | Kr. 46,08 |
| 100 - 499 | Kr. 42,34 |
| 500 - 999 | Kr. 39,34 |
| 1000 + | Kr. 32,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-880
- Producentens varenummer:
- RJ1R10BBHTL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 105A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | RJ1 | |
| Emballagetype | TO-263AB | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 130nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 181W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 105A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie RJ1 | ||
Emballagetype TO-263AB | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 130nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 181W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
ROHM Nch 150V 170A TO-263AB power MOSFET med lav on-modstand og høj effekt, lille støbeformspakke, velegnet til at skifte.
Lav modstand ved tændt
Lille støbeformspakke med høj effekt (TO263AB)
Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel
100% UIS-testet
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 40 A 150 V TO-263AB, RJ1 RJ1R04BBHTL1
- ROHM N-Kanal 80 A 100 V TO-263AB, RJ1 RJ1P04BBHTL1
- ROHM N-Kanal 120 A 100 V TO-263AB, RJ1 RJ1P07CBHTL1
- ROHM N-Kanal 170 A 100 V TO-263AB, RJ1 RJ1P10BBHTL1
- ROHM N-Kanal 105 A 150 V TO-220AB RX3R10BBHC16
- ROHM N-Kanal 100 A 80 V TO-263AB-3LSHYAD, RJ1N04BBHT RJ1N04BBHTL1
- ROHM N-Kanal 105 A 60 V TO-220AB RX3L07BBGC16
- ROHM N-Kanal 105 A 750 V TO-247N SCT4013DEC11
