ROHM 1 Type N-Kanal, MOSFET, 170 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1 RJ1P10BBHTL1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 48,99

(ekskl. moms)

Kr. 61,24

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 100 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 48,99
10 - 99Kr. 44,06
100 - 499Kr. 40,69
500 - 999Kr. 37,70
1000 +Kr. 30,67

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-878
Producentens varenummer:
RJ1P10BBHTL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

170A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263AB

Serie

RJ1

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.0mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

135nC

Effektafsættelse maks. Pd

189W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Antal elementer per chip

1

ROHM Nch 100V 170A TO-263AB power MOSFET med lav on-modstand og høj effekt, lille støbeformspakke, velegnet til at skifte.

Lav modstand ved tændt

Lille støbeformspakke med høj effekt (TO263AB)

Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel

100% UIS-testet

Relaterede links