DiodesZetex N-kanal-Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, DMN3042L
- RS-varenummer:
- 719-582
- Producentens varenummer:
- DMN3042L-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.956,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.445,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | Kr. 0,652 | Kr. 1.956,00 |
| 15000 + | Kr. 0,639 | Kr. 1.917,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-582
- Producentens varenummer:
- DMN3042L-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMN3042L | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 48mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Min. driftstemperatur | -50°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.4W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.15mm | |
| Bredde | 2.5mm | |
| Længde | 3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMN3042L | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 48mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Min. driftstemperatur -50°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.4W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.15mm | ||
Bredde 2.5mm | ||
Længde 3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex N-kanals forbedringstilstand MOSFET er designet til højtydende strømstyringsanvendelser. Med fokus på at minimere modstanden i tændt tilstand og samtidig opretholde fremragende skifteydelse er denne komponent velegnet til batteriladning, DC-DC-konvertere og bærbare strømforsyningsadaptere. Den har en letvægtskonstruktion og miljøbevidsthed gennem sine blyfri og RoHS-kompatible specifikationer, hvilket gør den velegnet til biler, der kræver streng ændringskontrol.
Lav modstand ved tænding øger effektiviteten ved højere strømme
Designet med lav tærskel for gate-spænding til hurtig skifte
Minimerer indgangskapaciteten for at lette hurtige reaktionstider
Kvalitetssikret som en helt blyfri og RoHS-overensstemmende enhed
Kan håndtere biler med specifik kvalitetskontrol
Fremstillet i faciliteter, der er certificeret iht. IATF 16949 for ensartet kvalitet
Lav indgangs-/udgangslækage sikrer robust ydeevne under forskellige forhold
Optimeret til strømstyring, hvilket forbedrer produktets samlede pålidelighed
Relaterede links
- DiodesZetex N-kanal-Kanal 5.8 A 30 V Forbedring SOT-23, DMN3042L
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.8 A 30 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.8 A 30 V Forbedring SOT-23, DMN3051L AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 5.8 A 25 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Vishay Type N-Kanal 5.8 A 30 V Forbedring SOT-23, Si2366DS
- onsemi Type P-Kanal 5.8 A 20 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- DiodesZetex N-kanal-Kanal 210 mA 60 V Forbedring SOT-23, DMN67D7L
- DiodesZetex N-kanal-Kanal 3.6 A 30 V Forbedring SOT-23, DMG3406L