Vishay N-kanal, P-kanal-Kanal, MOSFET, 4.7 A 20 V Forbedring, 6 Ben, TSOP-6, SQ3583CEV AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 3,29

(ekskl. moms)

Kr. 4,11

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Bånd
Pr bånd
1 - 24Kr. 3,29
25 - 99Kr. 2,24
100 +Kr. 1,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
736-343
Producentens varenummer:
SQ3583CEV-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N-kanal, P-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.7A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

SQ3583CEV

Emballagetype

TSOP-6

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.077Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

12V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.67W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay Dual MOSFET er designet til anvendelser med høj pålidelighed. Denne komponent anvender TrenchFET-teknologi til at give effektiv strømstyring i et kompakt TSOP-6-hus.

Kvalificeret til brug i biler iht. AEC-Q101-standarder

Undergår 100 % Rg- og UIS-test for at sikre robust ydeevne

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.