Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 30 A 650 V, 4 Ben, Tape og rulle, CoolSiC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 762-939
- Producentens varenummer:
- IPQC65R017CFD7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 126,64
(ekskl. moms)
Kr. 158,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 126,64 |
| 10 - 99 | Kr. 103,15 |
| 100 - 499 | Kr. 86,02 |
| 500 - 749 | Kr. 76,67 |
| 750 + | Kr. 71,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-939
- Producentens varenummer:
- IPQC65R017CFD7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | Tape og rulle | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 694W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 236nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 8.2mm | |
| Højde | 2.35mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 15.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype Tape og rulle | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 694W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 236nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 8.2mm | ||
Højde 2.35mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 15.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon 650 V CoolMOS CFD7A er den nyeste generation af markedsførende CoolMOS MOSFET'er med høj spænding, der er certificeret til biler. Den nye CoolMOS CFD7A-serie giver en integreret hurtig body-diode og kan bruges til PFC- og resonansswitch-teknologier.
Nyeste 650 V bil-kvalificeret teknologi
Høj kvalitet og pålidelighed
100% lavine testet
Lavere skiftetab
Relaterede links
- Infineon N-kanal-Kanal 64 A 650 V Tape og rulle, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-kanal-Kanal 74 A 650 V Forbedring TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-LL, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 60 A 40 V Forbedring Tape og rulle, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-kanal-Kanal 193 A 40 V Forbedring Tape og rulle, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-kanal-Kanal 154 A 40 V Forbedring Tape og rulle, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-kanal-Kanal 117 A 40 V Forbedring Tape og rulle, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-kanal-Kanal 199 A 40 V Forbedring Tape og rulle, OptiMOS AEC-Q101