Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 4 Ben, TO-LL, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 762-923
- Producentens varenummer:
- IMTA65R075M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 27,56
(ekskl. moms)
Kr. 34,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 27,56 |
| 10 - 49 | Kr. 22,31 |
| 50 - 99 | Kr. 17,06 |
| 100 + | Kr. 13,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-923
- Producentens varenummer:
- IMTA65R075M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-LL | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 141W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 8.2mm | |
| Længde | 8.2mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-LL | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 141W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 8.2mm | ||
Længde 8.2mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET leverer uovertruffen ydeevne, overlegen pålidelighed og stor brugervenlighed. Det muliggør omkostningseffektive, meget effektive og forenklede design til at opfylde det stadigt voksende system og markedets behov.
Meget lave skiftetab
Forbedrer systemets robusthed og pålidelighed
Giver stor brugervenlighed og integration
Reducerer systemernes størrelse, vægt og materialer
Relaterede links
- Infineon N-kanal-Kanal 144 A 440 V Forbedring TO-LL, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 111 A 440 V Forbedring TO-LL, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 68 A 440 V Forbedring TO-LL, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 74 A 650 V Forbedring TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 28 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 26.6 A 650 V Forbedring TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 74 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 30 A 650 V Tape og rulle, CoolSiC AEC-Q101