Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 111 A 440 V Forbedring, 8 Ben, TO-LL, CoolSiC

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 87,48

(ekskl. moms)

Kr. 109,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 87,48
10 - 24Kr. 78,73
25 +Kr. 64,74

*Vejledende pris

RS-varenummer:
762-915
Producentens varenummer:
IMT44R015M2HXTMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

111A

Drain source spænding maks. Vds

440V

Serie

CoolSiC

Emballagetype

TO-LL

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

15mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

341W

Gennemgangsspænding Vf

4.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

62nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

11.88mm

Længde

10.1mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon CoolSiC MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkronretning og har Benchmark gate tærskelspænding. Desuden er den udstyret med XT-sammenkoblingsteknologi for den bedste termiske ydeevne i klassen.

100% lavine testet

Anbefalet gate-drivspænding

Kvalificeret til industrielle anvendelser

Anvendes til energilagring, UPS og batteridannelse

Relaterede links