Infineon Halvbro N-Kanal, MOSFET-moduler, 620 A 750 V Forbedring, 30 Ben, PG-TSON-12, HybridPACK
- RS-varenummer:
- 762-980
- Producentens varenummer:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Brand:
- Infineon
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 7.539,69
(ekskl. moms)
Kr. 9.424,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 6 enhed(er) afsendes fra 09. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 11 | Kr. 7.539,69 |
| 12 + | Kr. 7.257,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-980
- Producentens varenummer:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET-moduler | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 620A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 750V | |
| Emballagetype | PG-TSON-12 | |
| Serie | HybridPACK | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Benantal | 30 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.5μC | |
| Portkildespænding maks. | -23V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6.73V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Halvbro | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET-moduler | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 620A | ||
Drain source spænding maks. Vds 750V | ||
Emballagetype PG-TSON-12 | ||
Serie HybridPACK | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Benantal 30 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.5μC | ||
Portkildespænding maks. -23V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 6.73V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Halvbro | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon HybridPACK Drive G2-modulet anvender siliciumkarbid (SiC) MOSFET'er, der tilbyder en maksimal spænding på 750 V og en nominel strøm på 620 A. Dens design har lav modstand ved tænding, minimale skiftetab og en robust isoleringsevne på 4,25 kV. Den er udviklet til høj ydeevne og opretholder driftstemperaturer op til 200 °C.
Kompakt design
Høj effekttæthed
Direkte kølet PinFin-bundplade
Integreret diode til temperaturmåling
PressFIT-kontaktteknologi
I overensstemmelse med RoHS, blyfri
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 620 A 750 V Forbedring HybridPACK Drive G2
- Infineon N-Kanal 390 A 1200 V Forbedring HybridPACK Drive G2
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 9.2 A 650 V Forbedring PG-TSON-8, IGLR65
- Infineon N-Kanal 88 A 200 V Forbedring PG-TSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 13 A 650 V Forbedring PG-TSON-8, IGLR65
- Infineon N-Kanal 7.2 A 650 V Forbedring PG-TSON-8, IGLR65
- Infineon N-Kanal 451 A 40 V Forbedring PG-TSON-12, IQF