Infineon Halvbro N-kanal-Kanal, MOSFET-moduler, 620 A 750 V Forbedring, 30 Ben, PG-TSON-12, HybridPACK
- RS-varenummer:
- 762-980
- Producentens varenummer:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 14.612,22
(ekskl. moms)
Kr. 18.265,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 6 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 14.612,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-980
- Producentens varenummer:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET-moduler | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 620A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 750V | |
| Serie | HybridPACK | |
| Emballagetype | PG-TSON-12 | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Benantal | 30 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6.73V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.5μC | |
| Transistorkonfiguration | Halvbro | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET-moduler | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 620A | ||
Drain source spænding maks. Vds 750V | ||
Serie HybridPACK | ||
Emballagetype PG-TSON-12 | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Benantal 30 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 6.73V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.5μC | ||
Transistorkonfiguration Halvbro | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon HybridPACK Drive G2-modulet anvender siliciumkarbid (SiC) MOSFET'er, der tilbyder en maksimal spænding på 750 V og en nominel strøm på 620 A. Dens design har lav modstand ved tænding, minimale skiftetab og en robust isoleringsevne på 4,25 kV. Den er udviklet til høj ydeevne og opretholder driftstemperaturer op til 200 °C.
Kompakt design
Høj effekttæthed
Direkte kølet PinFin-bundplade
Integreret diode til temperaturmåling
PressFIT-kontaktteknologi
I overensstemmelse med RoHS, blyfri
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 620 A 750 V Forbedring HybridPACK Drive G2
- Infineon N-kanal-Kanal 300 A 1200 V HybridPACK
- Infineon N-kanal-Kanal 339 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal-Kanal 394 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal-Kanal 510 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal-Kanal 460 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 390 A 1200 V Forbedring HybridPACK Drive G2
- Infineon AQG 324 Type N-Kanal Halvbro HybridPACK Drive G2 6 Skrueterminal
