Infineon N-Kanal, Effekt MOSFET, 510 A 60 V Forbedring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 762-983
- Producentens varenummer:
- IQFH61N06NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 762-983
- Producentens varenummer:
- IQFH61N06NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 510A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-TSON-12 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 12 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.61mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 190nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6mm | |
| Længde | 8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 510A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-TSON-12 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 12 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.61mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 190nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6mm | ||
Længde 8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 5Power-transistor, 60 V, optimeret til lavspændingsdrev, batteridrevne og synkrone ensretningsanvendelser. Fuldt kvalificeret iht. JEDEC til industrielle anvendelser.
100% lavine testet
Fremragende termisk modstandsdygtighed
N-kanal
Blyfri blybelægning, RoHS-overensstemmelse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 339 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 394 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 460 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 656 A 40 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon 1 N-Kanal 194 A 120 V Forbedring PG-TSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon N-Kanal 510 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8-1, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 451 A 40 V Forbedring PG-TSON-12, IQF