Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS Nej IQE046N08LM5ATMA1

Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
285-042
Producentens varenummer:
IQE046N08LM5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

99A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PG-TSON-8

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET har et innovativt effektmodul, der er designet til at give høj effektivitet og pålidelighed i forskellige applikationer. Med banebrydende teknologi sikrer den optimal ydeevne og opretholder en kompakt størrelse, hvilket gør den velegnet til moderne elektroniske systemer. Modulets robuste design gør det muligt at håndtere krævende forhold og opfylder industrier, der kræver holdbare og effektive strømforsyningsløsninger. Dens fremragende varmestyringsegenskaber og lave effekttab forbedrer dens funktionalitet, hvilket gør den til et oplagt valg for ingeniører og designere, der går efter bæredygtighed og ydeevne. Dette produkt skiller sig ud ved at integrere alsidighed og brugervenlighed, hvilket sikrer problemfri integration i eksisterende systemer, mens dets brugervenlige egenskaber hæver den samlede driftsoplevelse.

Maksimerer energibesparelser med høj effektivitet

Kompakt design til pladsbesparende installationer

Holdbar konstruktion til barske miljøer

Optimeret termisk ydeevne reducerer behovet for køling

Alsidig brug til forskellige applikationer

Brugervenlig for nem integration

Relaterede links