Infineon 1 Type N-Kanal, MOSFET 120 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- RS-varenummer:
- 284-782
- Producentens varenummer:
- ISC030N12NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 284-782
- Producentens varenummer:
- ISC030N12NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Emballagetype | PG-TSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Emballagetype PG-TSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en tilstand af ART-effekttransistor designet til højfrekvente switching-anvendelser, der kan prale af fremragende ydeevne og effektivitet. Denne N-kanals MOSFET er optimeret til brug i forskellige industrielle anvendelser, hvilket sikrer maksimal pålidelighed selv under krævende forhold. Med sin lave on-motstand og bemærkelsesværdige gate-ladningsegenskaber forbedrer den ydeevnen i synkron ensretning og strømkonverteringssystemer. Enheden fungerer effektivt ved høje temperaturer, hvilket gør den velegnet til en række anvendelser på tværs af sektorer. Dens kompakte PG TSON 8 3-hus muliggør yderligere pladsbesparende design og sikrer samtidig fremragende termisk ydeevne, hvilket gør den til et foretrukket valg for teknikere, der søger højkvalitets strømstyringsløsninger.
Meget lav modstand minimerer strømtab
Høj effektivitet med fremragende gate-ladning
Problemfri drift i højfrekvensapplikationer
Høj lavinenergiklassificering for holdbarhed
Fungerer effektivt op til 175 °C
Overholder RoHS-standarder for sikkerhed
MSL 1-klassificering til fleksibel håndtering
Optimeret til synkron ensretning
Relaterede links
- Infineon 1 Type N-Kanal 8 Ben OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 151 A 60 V PG-TSON-8, OptiMOS IQE022N06LM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 656 A 40 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon Type N-Kanal 86 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 63 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon 1 Type N-Kanal 8 Ben OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
