Infineon 1 Type N-Kanal, MOSFET 120 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- RS-varenummer:
- 284-782
- Producentens varenummer:
- ISC030N12NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 117.450,00
(ekskl. moms)
Kr. 146.800,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 23,49 | Kr. 117.450,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-782
- Producentens varenummer:
- ISC030N12NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Emballagetype | PG-TSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Emballagetype PG-TSON-8 | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en tilstand af ART-effekttransistor designet til højfrekvente switching-anvendelser, der kan prale af fremragende ydeevne og effektivitet. Denne N-kanals MOSFET er optimeret til brug i forskellige industrielle anvendelser, hvilket sikrer maksimal pålidelighed selv under krævende forhold. Med sin lave on-motstand og bemærkelsesværdige gate-ladningsegenskaber forbedrer den ydeevnen i synkron ensretning og strømkonverteringssystemer. Enheden fungerer effektivt ved høje temperaturer, hvilket gør den velegnet til en række anvendelser på tværs af sektorer. Dens kompakte PG TSON 8 3-hus muliggør yderligere pladsbesparende design og sikrer samtidig fremragende termisk ydeevne, hvilket gør den til et foretrukket valg for teknikere, der søger højkvalitets strømstyringsløsninger.
Meget lav modstand minimerer strømtab
Høj effektivitet med fremragende gate-ladning
Problemfri drift i højfrekvensapplikationer
Høj lavinenergiklassificering for holdbarhed
Fungerer effektivt op til 175 °C
Overholder RoHS-standarder for sikkerhed
MSL 1-klassificering til fleksibel håndtering
Optimeret til synkron ensretning
Relaterede links
- Infineon 1 Type N-Kanal 8 Ben OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal -22 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -32 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -59 A 60 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -19.6 A 60 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 63 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor