Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 451 A 40 V Forbedring, 12 Ben, PG-TSON-12, IQF Nej IQFH55N04NM6ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 76,66

(ekskl. moms)

Kr. 95,82

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 38,33Kr. 76,66
20 - 198Kr. 34,485Kr. 68,97
200 - 998Kr. 31,825Kr. 63,65
1000 - 1998Kr. 29,545Kr. 59,09
2000 +Kr. 26,44Kr. 52,88

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-390
Producentens varenummer:
IQFH55N04NM6ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

451A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

IQF

Emballagetype

PG-TSON-12

Monteringstype

Overflade

Benantal

12

Drain source modstand maks. Rds

0.55mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

214W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

118nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 40 V er specielt optimeret til lavspændingsapplikationer og batteridrevne systemer, hvilket gør den ideel til energieffektive designs. Den er også optimeret til synkrone applikationer, hvilket sikrer forbedret ydeevne. MOSFET'en har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket minimerer ledningstabet og forbedrer effektiviteten. Derudover er den 100 % lavinetestet, hvilket sikrer pålidelig ydeevne under krævende forhold.

Fremragende termisk modstandsdygtighed

N-kanal

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links