Infineon N-Kanal, Effekttransistor, 451 A 40 V Forbedring, 12 Ben, PG-TSON-12, IQF
- RS-varenummer:
- 349-390
- Producentens varenummer:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 70,54
(ekskl. moms)
Kr. 88,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 35,27 | Kr. 70,54 |
| 20 - 198 | Kr. 31,715 | Kr. 63,43 |
| 200 - 998 | Kr. 29,245 | Kr. 58,49 |
| 1000 - 1998 | Kr. 27,15 | Kr. 54,30 |
| 2000 + | Kr. 24,31 | Kr. 48,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-390
- Producentens varenummer:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 451A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PG-TSON-12 | |
| Serie | IQF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 12 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.55mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 118nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 451A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PG-TSON-12 | ||
Serie IQF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 12 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.55mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 118nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 40 V er specielt optimeret til lavspændingsapplikationer og batteridrevne systemer, hvilket gør den ideel til energieffektive designs. Den er også optimeret til synkrone applikationer, hvilket sikrer forbedret ydeevne. MOSFET'en har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket minimerer ledningstabet og forbedrer effektiviteten. Derudover er den 100 % lavinetestet, hvilket sikrer pålidelig ydeevne under krævende forhold.
Fremragende termisk modstandsdygtighed
N-kanal
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 172 A 135 V Forbedring PG-TSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 656 A 40 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon N-Kanal 510 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 339 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 394 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 460 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon Halvbro N-Kanal 620 A 750 V Forbedring PG-TSON-12, HybridPACK
- Infineon 60 A 600 V Forbedring PG-DSO-20-85, CoolGaN