Infineon, Effekttransistor, 60 A 600 V Forbedring, 20 Ben, PG-DSO-20-85, CoolGaN

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 76,22

(ekskl. moms)

Kr. 95,28

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 30 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
1 - 24Kr. 76,22
25 - 49Kr. 69,19
50 - 99Kr. 67,84
100 - 249Kr. 63,43
250 +Kr. 58,49

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-2752
Producentens varenummer:
IGO60R070D1AUMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

CoolGaN

Emballagetype

PG-DSO-20-85

Monteringstype

Overflade

Benantal

20

Drain source modstand maks. Rds

70mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

4.5 V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5.8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon effekttransistor er en galliumnitrid CoolGaNTM 600 V effekttransistor til forbedringstilstand. Denne effekttransistor giver hurtig tændings- og slukningshastighed, minimale skiftetab og muliggør enkle halvbrotopologier med højeste effektivitet. Galliumnitrid CoolGaNTM 600V serien er kvalificeret i overensstemmelse med en omfattende GaN skræddersyet kvalifikation langt ud over eksisterende standarder. Den adresserer datakommunikation og server SMPS, telekommunikation samt adapter, lader, trådløs opladning og talrige andre anvendelser, der kræver den højeste effektivitet eller effekttæthed.

Reducerer EMI

Systemomkostningsreduktion

Kan give omvendt ledningsevne

Fremragende omskiftningsrobusthed

Giver mulighed for højere driftsfrekvens

Lav gate-opladning og lav udgangsopladning

Relaterede links