Infineon Dual N-Kanal, Effekttransistor, 7.9 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 57,08

(ekskl. moms)

Kr. 71,36

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 2,854Kr. 57,08
200 - 480Kr. 2,712Kr. 54,24
500 - 980Kr. 2,51Kr. 50,20
1000 - 1980Kr. 2,312Kr. 46,24
2000 +Kr. 2,226Kr. 44,52

*Vejledende pris

RS-varenummer:
348-910
Producentens varenummer:
ISA250250N04LMDSXTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Dual N

Produkttype

Effekttransistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7.9A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

ISA

Emballagetype

PG-DSO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

25mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineon OptiMOS 3 Power Transistor er en dobbelt N-kanal MOSFET på logisk niveau, der er designet til højtydende effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket hjælper med at reducere ledningstab og øge den samlede systemeffektivitet. Derudover har transistoren overlegen termisk modstand, hvilket sikrer bedre varmestyring og pålidelighed under krævende forhold. Denne kombination af funktioner gør den ideel til applikationer, der kræver effektiv strømafbrydelse og termisk ydeevne.

100% lavine testet

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links