Infineon Dual N-Kanal, Effekttransistor, 7.9 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- RS-varenummer:
- 348-910
- Producentens varenummer:
- ISA250250N04LMDSXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 57,08
(ekskl. moms)
Kr. 71,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.920 enhed(er) afsendes fra 04. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 2,854 | Kr. 57,08 |
| 200 - 480 | Kr. 2,712 | Kr. 54,24 |
| 500 - 980 | Kr. 2,51 | Kr. 50,20 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,312 | Kr. 46,24 |
| 2000 + | Kr. 2,226 | Kr. 44,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-910
- Producentens varenummer:
- ISA250250N04LMDSXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PG-DSO-8 | |
| Serie | ISA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 25mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PG-DSO-8 | ||
Serie ISA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 25mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 3 Power Transistor er en dobbelt N-kanal MOSFET på logisk niveau, der er designet til højtydende effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket hjælper med at reducere ledningstab og øge den samlede systemeffektivitet. Derudover har transistoren overlegen termisk modstand, hvilket sikrer bedre varmestyring og pålidelighed under krævende forhold. Denne kombination af funktioner gør den ideel til applikationer, der kræver effektiv strømafbrydelse og termisk ydeevne.
100% lavine testet
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon Dual N-Kanal 9.6 A 40 V Forbedring PG-DSO-8, ISA
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA
- Infineon 60 A 600 V Forbedring PG-DSO-20-85, CoolGaN
- Infineon 15 A 600 V Forbedring PG-LSON-8-1, CoolGaN
- Infineon Type N-Kanal 52 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 137 A 200 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT