Infineon Dual N-Kanal, MOSFET, 9.6 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- RS-varenummer:
- 348-912
- Producentens varenummer:
- ISA170170N04LMDSXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 69,42
(ekskl. moms)
Kr. 86,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.960 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,471 | Kr. 69,42 |
| 200 - 480 | Kr. 3,295 | Kr. 65,90 |
| 500 - 980 | Kr. 3,048 | Kr. 60,96 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,813 | Kr. 56,26 |
| 2000 + | Kr. 2,708 | Kr. 54,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-912
- Producentens varenummer:
- ISA170170N04LMDSXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | ISA | |
| Emballagetype | PG-DSO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC Standard | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie ISA | ||
Emballagetype PG-DSO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC Standard | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 3 Power Transistor er en dobbelt N-kanal MOSFET på logisk niveau, der er designet til højtydende effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket hjælper med at reducere ledningstab og øge den samlede systemeffektivitet. Derudover har transistoren overlegen termisk modstand, hvilket sikrer bedre varmestyring og pålidelighed under krævende forhold. Denne kombination af funktioner gør den ideel til applikationer, der kræver effektiv strømafbrydelse og termisk ydeevne.
100% lavine testet
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon Dual N-Kanal 7.9 A 40 V Forbedring PG-DSO-8, ISA
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA
- Infineon Type P-Kanal 14.9 A -30 V Forbedring PG-DSO-8, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal -14.9 A -30 V Forbedring PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P
- Infineon Type P MOSFET 3 Ben ISA
- Infineon 8 Ben, PG-DSO-8