Infineon Type N, Type P-Kanal, MOSFET, 7.9 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- RS-varenummer:
- 348-907
- Producentens varenummer:
- ISA250300C04LMDSXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (20 enheder, i en pakke med 20)*
Kr. 128,06
(ekskl. moms)
Kr. 160,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.580 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 6,403 | Kr. 128,06 |
| 200 - 480 | Kr. 6,081 | Kr. 121,62 |
| 500 - 980 | Kr. 5,636 | Kr. 112,72 |
| 1000 - 1980 | Kr. 5,184 | Kr. 103,68 |
| 2000 + | Kr. 4,989 | Kr. 99,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-907
- Producentens varenummer:
- ISA250300C04LMDSXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | ISA | |
| Emballagetype | PG-DSO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249‐2‐21, JEDEC | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 6.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie ISA | ||
Emballagetype PG-DSO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5mm | ||
Standarder/godkendelser IEC61249‐2‐21, JEDEC | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 6.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 3 Power Transistorer, der fås i komplementære N- og P-kanalkonfigurationer, er designet til højeffektive switching-applikationer. Disse MOSFET'er har meget lav tændingsmodstand (RDS(on)), hvilket minimerer ledningstab og forbedrer den samlede systemydelse. Derudover har de overlegen termisk modstand, hvilket sikrer bedre varmeafledning og pålidelighed i krævende applikationer. Disse egenskaber gør dem ideelle til forskellige former for strømstyring og energieffektive designs.
100% lavine testet
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon Dual N-Kanal 7.9 A 40 V Forbedring PG-DSO-8, ISA
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA
- Infineon Dual N-Kanal 9.6 A 40 V Forbedring PG-DSO-8, ISA
- Infineon Type P-Kanal 14.9 A -30 V Forbedring PG-DSO-8, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal -14.9 A -30 V Forbedring PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P
- Infineon Type P MOSFET 3 Ben ISA
- onsemi Type P-Kanal 7.9 A 100 V Forbedring WDFN, PowerTrench