Infineon, Effekttransistor, 15 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PG-LSON-8-1, CoolGaN Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 78,61

(ekskl. moms)

Kr. 98,26

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 33 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 78,61
50 - 99Kr. 71,47
100 - 249Kr. 65,50
250 - 999Kr. 60,37
1000 +Kr. 56,15

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-2750
Producentens varenummer:
IGLD60R070D1AUMA3
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

15A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

PG-LSON-8-1

Serie

CoolGaN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

70mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-10 V

Effektafsættelse maks. Pd

114W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon effekttransistor er en galliumnitrid CoolGaNTM 600 V effekttransistor til forbedringstilstand. Denne effekttransistor giver hurtig tændings- og slukningshastighed, minimale skiftetab og muliggør enkle halvbrotopologier med højeste effektivitet. Galliumnitrid CoolGaNTM 600V serien er kvalificeret i overensstemmelse med en omfattende GaN skræddersyet kvalifikation langt ud over eksisterende standarder. Den adresserer datakommunikation og server SMPS, telekommunikation samt adapter, lader, trådløs opladning og talrige andre anvendelser, der kræver den højeste effektivitet eller effekttæthed.

Reducerer EMI

Systemomkostningsreduktion

Kan give omvendt ledningsevne

Fremragende omskiftningsrobusthed

Giver mulighed for højere driftsfrekvens

Lav gate-opladning og lav udgangsopladning

Relaterede links