ROHM N-kanal-Kanal, MOSFET, 3.9 A 1700 V, 7 Ben, TO

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 2 enheder)*

Kr. 49,25

(ekskl. moms)

Kr. 61,562

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 780 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr bånd*
2 - 18Kr. 24,625Kr. 49,25
20 - 98Kr. 21,695Kr. 43,39
100 +Kr. 17,495Kr. 34,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
780-669
Producentens varenummer:
SCT2H12NWBTL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.9A

Drain source spænding maks. Vds

1700V

Emballagetype

TO

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

1.5Ω

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

0V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.5mm

Højde

4.5mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bredde

10.2mm

Bilindustristandarder

Nej

ROHM siliciumkarbid-MOSFET leverer højtydende N-kanalswitching til industriel strømstyring med høj spænding. Denne avancerede SiC-enhed er udviklet til hjælpestrømforsyninger, hvilket sikrer overlegen termisk ledningsevne og lavere skiftetab sammenlignet med traditionelle siliciumkomponenter.

Drain-til-kilde-spænding på 1700 V

Kontinuerlig afløbsstrøm på 3,9 A

1,15 ohm typisk modstand ved tænding

Høj effekttab på 39 W

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.