ROHM N-kanal-Kanal, MOSFET, 3.9 A 1700 V, 7 Ben, TO

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 2 enheder)*

Kr. 49,25

(ekskl. moms)

Kr. 61,562

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Nyt produkt - forudbestil i dag
  • Afsendelse fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr bånd*
2 - 18Kr. 24,625Kr. 49,25
20 - 98Kr. 21,695Kr. 43,39
100 +Kr. 17,495Kr. 34,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
780-669
Producentens varenummer:
SCT2H12NWBTL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.9A

Drain source spænding maks. Vds

1700V

Emballagetype

TO

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

1.5Ω

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

0V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.5mm

Højde

4.5mm

Bredde

10.2mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

ROHM siliciumkarbid-MOSFET leverer højtydende N-kanalswitching til industriel strømstyring med høj spænding. Denne avancerede SiC-enhed er udviklet til hjælpestrømforsyninger, hvilket sikrer overlegen termisk ledningsevne og lavere skiftetab sammenlignet med traditionelle siliciumkomponenter.

Drain-til-kilde-spænding på 1700 V

Kontinuerlig afløbsstrøm på 3,9 A

1,15 ohm typisk modstand ved tænding

Høj effekttab på 39 W

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.