ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 3.7 A 1700 V Forbedring, 3 Ben, TO-3PFM, SCT2H12NZ Nej SCT2H12NZGC11
- RS-varenummer:
- 133-2860
- Producentens varenummer:
- SCT2H12NZGC11
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 126,11
(ekskl. moms)
Kr. 157,638
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Plus 22 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Sidste 104 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 63,055 | Kr. 126,11 |
| 10 - 18 | Kr. 52,51 | Kr. 105,02 |
| 20 - 98 | Kr. 52,25 | Kr. 104,50 |
| 100 - 198 | Kr. 51,65 | Kr. 103,30 |
| 200 + | Kr. 50,715 | Kr. 101,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 133-2860
- Producentens varenummer:
- SCT2H12NZGC11
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1700V | |
| Emballagetype | TO-3PFM | |
| Serie | SCT2H12NZ | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 35W | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 21mm | |
| Standarder/godkendelser | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Bredde | 5 mm | |
| Længde | 16mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1700V | ||
Emballagetype TO-3PFM | ||
Serie SCT2H12NZ | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 35W | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 21mm | ||
Standarder/godkendelser Pb-free lead plating, RoHS | ||
Bredde 5 mm | ||
Længde 16mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM
MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 3 3 ben SCT2H12NZ SCT2H12NZGC11
- ROHM N-Kanal 250 A 1700 V, Bulk BSM250D17P2E004
- Infineon 3 PG-TO 252 IPD60R2K1CEAUMA1
- Microchip N-Kanal 5 A 1700 V, TO-247 MSC750SMA170B
- Microchip N-Kanal 48 A 1700 V, TO-247 MSC035SMA170B
- Vishay N-Kanal 3 3 ben, TO-220FP IRFI730GPBF
- Wolfspeed N-Kanal 5 A 1700 V TO-247 C2M1000170D
- Wolfspeed N-Kanal 72 A 1700 V TO-247 C2M0045170D
